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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號(hào)：DS1258Y-100#

制造商：Maxim Integrated

描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器

包裝：管件

系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

存儲(chǔ)器類型：非易失

存儲(chǔ)器格式：NVSRAM

技術(shù)：NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲(chǔ)容量：2Mb（128K x 16）

存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)

時(shí)鐘頻率：-

寫(xiě)周期時(shí)間-字，頁(yè)：100ns

訪問(wèn)時(shí)間：100ns

電壓-供電：4.5V ~ 5.5V

工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）

安裝類型：通孔

產(chǎn)品封裝：40-DIP 模塊（0.610，15.495mm）

DS1258Y-100#，Maxim（美信半導(dǎo)體）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：DS1258Y-100#

原始制造廠商：Maxim Integrated（美信半導(dǎo)體）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲(chǔ)器

點(diǎn)擊此處查詢DS1258Y-100#的技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）

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